我国目前电子产品系统更新速度非常快，可以说我国已经完全进入电子发展大国，生产电子产品需要一个完全无污染的环境，对电子产品部件清洗液也必须保证完全干净，所以电子行业对水的要求也相对较高。
一、设计原始资料：
制作16K位集成电路(DRAM)时，对水质的要求：TOC0.5mg/L，金属离子为1mg/L，微粒(≥0.2mm)为100个/ml。而制作16M位DRAM时，对水质的要求：TOC<5mg/L，金属离子<0.2mg/L，微粒(≥0.1mm)为0.6个/ml。
二、工艺流程及主要设备：
1.预处理：
预处理包括活性炭过滤器、软化器高纯水的检测和阻垢剂投加装置。对RO组件中的聚酰胺复合膜，由于它的耐氯性能差，但适用pH值范围广。活性炭过滤能有效地去除氯。而活性炭过滤后，往往会增加水中细菌和微粒子的含量。软化器可以减少水中粒子含量，由于树脂表面带有少量电荷，会提高软化器的活性，因此软化器预处理可以减少RO组件的粒子污染。为了防止水中硬度的结垢，添加阻垢剂专门设置阻垢剂投加装置。
2.RO系统：
RO膜一般能去除原水中95%～99%的TDS，而对二氧化硅(SiO2)的去除效果则不佳，因此RO被认为是预脱矿质过程，为了提高RO的效率，采用了两段RO系统。这种两段脱盐系统采用了低压复合膜，既能保证水通量，又不降低脱盐率，它所需的操作压力为1.38～1.72MPa，所以两段RO能在低于0.27MPa压差下工作，并大幅度提高了离子的分离性能。若单级RO膜的截留率为95%，则盐透过率为5%，两段RO盐的透过率为(0.05)2或0.0025。因此，通过两段RO计算的截留率应为99.75%，复合膜也能提高SiO2的截留率。
3.后处理：
反渗透edi装置产水放入贮槽中，以便进行后续的离子交换(IX)和筒式过滤器处理。往贮槽加入臭氧，使有机物和氧化剂接触转化成羧酸类物质以减少粒子生成。贮水槽出水经254nm紫外线灭菌器，旨在消除臭氧残留物，保护后续的IX装置和筒式过滤器免受臭氧降解。该系统也由两个IX装置组成，主混床和精混床，每个混床后均设亚微米筒式过滤器和紫外线灭菌器。用0.45mm筒式过滤器捕集主混床漏出的树脂颗粒，主混床下游选用18.5nm紫外光，它除杀灭细菌外，还可使有机物少量氧化。
4.系统布置：
设备布置是高纯水设计中需要解决的难题之一。
对于深圳EDI超纯水设备，系统整体布局非常重要，错误的安放会影响系统正常完成出水量与工作产能。很多生产厂家都被系统布局问题困扰，找到正确的安排方式至关重要。
