半导体材料清理用超纯水设备的原理
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半导体材料清理用超纯水设备的原理

发布日期:2019-11-26 浏览次数:2355


半导体材料清理用超纯水设备的原理

一、半导体材料清理用超纯水设备简述
半导体材料清理用超纯水设备关键运用在半导体材料清理制造行业,该机器设备选用优秀的膜分离技术和EDI技术性,确保机器设备的品质和出水量水体。该机器设备总体选用优秀的金属材质,耐腐蚀工作能力强,另外也不容易出現锈蚀难题,品质靠谱,遭受客户的一致五星好评。二、半导体材料清理用超纯水设备原理
EDI设备将离子交换柱充夹在阴/阳离子交换膜中间产生EDI模块。EDI原理如图所示。EDI部件上将一定总数的EDI模块间用网状结构物分隔,产生浓水室。又在模块组两边设定阴/阳电级。在交流电的促进下,根据谈水室流水中的阴阳离子各自越过阳阴离子交换膜进到到浓水室而在谈水室中除去。而根据浓水室的水将电离弄出系统软件,变成浓水. EDI机器设备一般以ro反渗透(RO)纯净水做为EDI给排水。RO纯水电导率一般是40-2μS/cm(25℃)。EDI纯净水电阻能够达到18 MΩ.cm(25℃),可是依据双蒸水主要用途和系统设置设定,EDI纯净水适用制取电阻规定在1-18.2MΩ.cm(25℃)的纯净水。三、半导体材料清理用超纯水设备制取加工工艺
1、预备处理系统软件→ro反渗透系统软件→正中间储水箱→粗混和床→精混和床→纯储水箱→纯离心水泵→紫外线杀菌器→打磨抛光混床→精密过滤器→自来水点。(≥18MΩ.CM)(传统手工艺)
2、预备处理→ro反渗透→正中间储水箱→离心水泵→EDI设备→提纯储水箱→纯离心水泵→紫外线杀菌器→打磨抛光混床→0.2或0.5μm精密过滤器→自来水点。(≥18MΩ.CM)(最新消息加工工艺)
3、预备处理→一级ro反渗透→投药机(PH调整)→正中间储水箱→第二级ro反渗透(正电反渗膜)→纯储水箱→纯离心水泵→EDI设备→紫外线杀菌器→0.2或0.5μm精密过滤器→自来水点。(≥17MΩ.CM)(最新消息加工工艺)
4、预备处理→ro反渗透→正中间储水箱→离心水泵→EDI设备→纯储水箱→纯离心水泵→紫外线杀菌器→0.2或0.5μm精密过滤器→自来水点。(≥15MΩ.CM)(最新消息加工工艺)
5、预备处理系统软件→ro反渗透系统软件→正中间储水箱→纯离心水泵→粗混和床→精混和床→紫外线杀菌器→精密过滤器→自来水点。(≥15MΩ.CM)(传统手工艺)
四、半导体材料清理用超纯水设备的主要用途
电解电容器生产制造铝铂及工作中件的清理。 整流管生产制造、显像管和阴极射线管生产制造调料用纯净水。
黑与白显像管显示屏生产制造、玻壳清理、沉定、潮湿、洗膜、管颈清理用纯净水。 生产制造液晶显示屏的屏面要用纯净水清理和用纯净水配液。三极管生产制造中纯净水适用于清理硅单晶。集成电路芯片生产制造中高纯水清理硅单晶。 半导体器件、元器件、印刷线路板和集成电路芯片用纯净水。半导体器件、晶元原材料生产制造、生产加工、清理。高质量显像管、萤光粉生产制造。 小车、家用电器表层打磨抛光处